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RSD200N10
? Electrical characteristic curves
Data Sheet
0.1
V GS =10V
Pulsed
10000
Ciss
15
T a=25 ° C
V DD =50V
I D =20A
Pulsed
1000
Coss
10
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
-25 ° C
100
f=1MHz
V GS =0V
Crss
5
Ta=25 ° C
0.01
0.1
1 10
Drain Current : I D (A)
100
10
0.01 0.1 1 10
Drain-Source Voltage : V DS (V)
100
0
0
10 20 30 40
Total Gate Charge : Qg(nC)
50
Fig.1 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
www.rohm.com
c 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Fig.2 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
3/3
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
2012.04 - Rev.B
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